ca88登录【专利】华为三折屏手机专利公布曾传最快今年Q2面世

发布时间：2024-04-05 08:17:30 来源：ca88平台 作者：ca88官方

　　集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司“折叠屏设备”专利公布，申请公布日为2024年3月29日，申请公布号为CN117789596A。

　　本申请提供了一种折叠屏设备，包括第一壳体、第二壳体、第三壳体、第一铰链、第二铰链和柔性屏；其中，第一铰链的相对两端分别与第一壳体和第二壳体连接，第二铰链的相对两端分别与第二壳体和第三壳体连接，柔性屏分别与第一壳体、第二壳体和第三壳体连接；第一铰链能够发生形变，使得第一壳体相对于第二壳体折叠或展开，第二铰链能够发生形变，使得第二壳体相对于第三壳体折叠或展开；第三壳体的厚度大于第一壳体的厚度和/或第二壳体的厚度，且所述第一壳体的厚度与所述第二壳体的厚度不同。根据本申请实施例，多个壳体可以不等厚，降低了该折叠屏设备在折叠状态下的厚度，也使得该折叠屏设备的重量更轻，从而可以给用户提供更好的握持手感。

　　今年2月便有报道称，华为正秘密开发全新“三折屏手机”，并且已经开始了大举备货，预计最快今年二季度面世。由于转轴是折叠机最关键零组件，因此消息称华为扩大了对中国轴承双雄兆利和富世达的备料订单，使得他们或将成为华为三折叠机的大赢家。此外，面板厂商也将会直接受益。

　　据证券日报最新报道，4月1日，华为内部人士向记者确认：“对这一专利技术，华为早在几年前就开始研发布局，2022年相关专利就有了新进展。”但对于该款手机产量面世时间，该华为内部人士称还需视进展而定。此外，迈睿资产管理有限公司首席执行官王浩宇表示：“据我们调研，华为研发的三折屏手机目前进展顺利，数月前已开始测试相关超薄柔性玻璃盖板（UTG）等项目的成熟度。”

　　集微网消息，天眼查显示，小米汽车科技有限公司“对星方法、装置、介质及车辆”专利公布，申请公布日为2024年3月29日，申请公布号为CN117791144A。

　　本公开涉及一种对星方法、装置、介质及车辆，属于车辆领域，能够提高对星速度、卫星通信通道使用的时效性和便利性以及实际的卫星通信质量。一种对星方法，包括：在搜索到卫星信号的情况下，获取车辆的当前车辆位置和搜索到的卫星信号所对应的卫星的当前卫星位置；基于所述当前车辆位置和所述当前卫星位置，确定所述车辆上的卫星天线的待朝向目标俯仰角和待朝向目标方向角；基于所述待朝向目标俯仰角和所述待朝向目标方向角，对所述卫星天线的朝向进行调整。

　　其实，卫星通信量产上车早在去年就已实现。和华为Mate60 Pro首次实现卫星通信技术上机一样，极氪 001 FR全球首次将卫星通信技术量产上车。

　　据悉，无论是手机还是汽车，直连卫星不难，但难的是商业化。是不是能够保证信号的稳定性，同时又控制在消费者可接受的成本以及便捷性之内，这需要一整套的解决方案。

　　有机构预测，今年很有可能成为中国汽车企业在卫星通信上技术元年。相较于手机，汽车卫星通信还有许多优势。

　　天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“半导体腔室及半导体设备”的专利，授权公告号为CN220665444U，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年7月27日。

　　本实用新型提供一种半导体腔室及半导体设备，半导体腔室包括：腔室本体；基座组件，基座组件具有用于放置圆晶的支撑面，基座组件可转动地设置在腔室本体内；磁流体组件，磁流体组件包括驱动件和固定件，固定件设置在腔室本体的外部，驱动件可转动地设置在固定件上，驱动件与固定件之间密封设置，驱动件自腔室本体外部穿设至腔室本体内部，驱动件与基座组件固定连接，驱动件用于带动基座组件转动；调平机构，调平机构设置在腔室本体的外壁上，固定件固定连接在调平机构上，调平机构用于改变磁流体组件的设置角度，以调节支撑面的角度。本实用新型的反应器极大简化了调平步骤，省时省力，大幅降低维护时间，提高生产效率。

　　天眼查显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司近日取得一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，授权公告号为CN111900088B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2019年05月05日。

　　本发明一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在所述衬底上形成、所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；定义切断开口图形；沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层顶部与所述伪栅结构顶部齐平；本发明使得所形成的半导体器件性能稳定。

　　天眼查显示，长鑫存储技术有限公司近日取得一项名为“隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法”的专利，授权公告号为CN107706145B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2017年10月19日。

　　本发明提供一种隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法，其中，隔离沟槽薄膜填充结构的制备方法至少包括：提供一制备有外围沟槽的半导体衬底；于半导体衬底上形成预制填充材料，覆盖半导体衬底的上表面及外围沟槽的侧壁和底部且形成一缩口颈；预刻蚀预制填充材料去除缩口颈；于半导体衬底上形成高密度等离子体氧化物材料，覆盖预制填充材料并填充满外围沟槽；去除多余的高密度等离子体氧化物材料和预制填充材料，以得到位于外围沟槽内的高密度等离子体氧化物层和预制填充层。本发明通过预刻蚀来改善预制填充材料的外形，使高密度等离子体氧化物材料与预制填充材料之间不易形成空洞，进而避免后续形成的金属位线出现短路而造成器件失效。

　　【创新】北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布；飞骧科技射频专利获授权；华引芯公布电子束聚焦技术；华虹宏力半导体专利公布

　　【公开】晶合集成浅沟槽隔离结构专利公开；紫光同芯防拆芯片专利公布；芯和半导体EDA模型数据单位切换方法及装置专利公布

ca88登录